MJD112T4 NPN 达林顿晶体管, 4 A 100 V, HFE=200, 3针 TO-252封装

品牌

STMicroelectronics

晶体管类型

NPN

最大连续集电极电流

4 A

最大集电极-发射极电压

100 V

最大发射极-基极电压

5 V

封装类型

TO-252

安装类型

表面贴装

引脚数目

3

每片芯片元件数目

1

最小直流电流增益

200

最大基极-发射极饱和电压

4 V

最大集电极-基极电压

100 V

最大集电极-发射极饱和电压

3 V

最大集电极-基极截止电流

0.02mA

尺寸

6.6 x 6.2 x 2.4mm

长度

6.6mm

最高工作温度

+150 °C

高度

2.4mm

最低工作温度

-65 °C

宽度

6.2mm