MJD117T4G PNP 达林顿晶体管, 4 A 100 V, HFE=200, 3针 D-PAK封装
- RS 库存编号:
- 688-1505
- 制造商零件编号:
- MJD117T4G
- 制造商:
- onsemi
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RMB6.85
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB3.425 | RMB6.85 |
| 20 - 38 | RMB2.925 | RMB5.85 |
| 40 - 98 | RMB2.92 | RMB5.84 |
| 100 - 198 | RMB1.925 | RMB3.85 |
| 200 + | RMB1.885 | RMB3.77 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-1505
- 制造商零件编号:
- MJD117T4G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 2 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 100 | |
| 包装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管极性 | PnP | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 5 | |
| 最大功耗 Pd | 20 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2 | |
| 最低工作温度 | -65 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 100 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.38 | |
| 系列 | MJD112 | |
| 宽度 | 6.22 | |
| 长度 | 6.73 | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 20 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 2 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 100 | ||
包装类型 DPAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管极性 PnP | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 5 | ||
最大功耗 Pd 20 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2 | ||
最低工作温度 -65 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 100 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.38 | ||
系列 MJD112 | ||
宽度 6.22 | ||
长度 6.73 | ||
最大集电极-基极截止电流 20 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||