MC1413DR2G 阵列7路 NPN 达林顿晶体管阵列, 0.5 A 50 V, HFE=1000, 16针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 688-9402
- 制造商零件编号:
- MC1413DR2G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB19.09
(不含税)
RMB21.57
(含税)
有库存
- 另外 35 件在 2026年6月01日 发货
- 另外 10 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB3.818 | RMB19.09 |
| 25 - 45 | RMB2.83 | RMB14.15 |
| 50 - 245 | RMB2.774 | RMB13.87 |
| 250 - 495 | RMB1.86 | RMB9.30 |
| 500 + | RMB1.822 | RMB9.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-9402
- 制造商零件编号:
- MC1413DR2G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 500 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 晶体管配置 | 共发射极 | |
| 每片芯片元件数目 | 7 | |
| 最小直流电流增益 | 1000 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.6 V | |
| 长度 | 10mm | |
| 尺寸 | 10 x 4 x 1.5mm | |
| 最低工作温度 | -20 °C | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 500 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 16 | ||
晶体管配置 共发射极 | ||
每片芯片元件数目 7 | ||
最小直流电流增益 1000 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V | ||
长度 10mm | ||
尺寸 10 x 4 x 1.5mm | ||
最低工作温度 -20 °C | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 4mm | ||