NCV1413BDR2G 阵列7路 NPN 达林顿晶体管阵列, 0.5 A 50 V, HFE=1000, 16针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 688-9411P
- 制造商零件编号:
- NCV1413BDR2G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 45 | RMB3.702 |
| 50 - 245 | RMB3.526 |
| 250 - 495 | RMB2.376 |
| 500 + | RMB2.276 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-9411P
- 制造商零件编号:
- NCV1413BDR2G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 500 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 晶体管配置 | 共发射极 | |
| 每片芯片元件数目 | 7 | |
| 最小直流电流增益 | 1000 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.6 V | |
| 尺寸 | 10 x 4 x 1.5mm | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 4mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 长度 | 10mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 500 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 16 | ||
晶体管配置 共发射极 | ||
每片芯片元件数目 7 | ||
最小直流电流增益 1000 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V | ||
尺寸 10 x 4 x 1.5mm | ||
最高工作温度 +125 °C | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 4mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
长度 10mm | ||