BD681S NPN 达林顿晶体管, 4 A 100 V, HFE=750, 3针 TO-126封装
- RS 库存编号:
- 761-4407
- 制造商零件编号:
- BD681S
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB2.306 | RMB23.06 |
| 100 - 490 | RMB1.871 | RMB18.71 |
| 500 - 990 | RMB1.834 | RMB18.34 |
| 1000 - 1990 | RMB1.301 | RMB13.01 |
| 2000 + | RMB1.275 | RMB12.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-4407
- 制造商零件编号:
- BD681S
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 4 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 封装类型 | TO-126 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 | 750 | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 2.5 V | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 0.5mA | |
| 长度 | 8mm | |
| 宽度 | 3.25mm | |
| 最大功率耗散 | 40 W | |
| 尺寸 | 8 x 3.25 x 11mm | |
| 高度 | 11mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 4 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
封装类型 TO-126 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 750 | ||
最大集电极-基极电压 100 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V | ||
最大集电极-基极截止电流 0.5mA | ||
长度 8mm | ||
宽度 3.25mm | ||
最大功率耗散 40 W | ||
尺寸 8 x 3.25 x 11mm | ||
高度 11mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN