2N6039G NPN 达林顿晶体管, 4 A 80 V, HFE=100, 3针 TO-225AA封装
- RS 库存编号:
- 774-3426P
- 制造商零件编号:
- 2N6039G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 245 | RMB4.40 |
| 250 - 495 | RMB3.60 |
| 500 - 995 | RMB2.80 |
| 1000 + | RMB2.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 774-3426P
- 制造商零件编号:
- 2N6039G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 4 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 80 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 封装类型 | TO-225AA | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 | 100 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 4 V | |
| 最大集电极-基极电压 | 80 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 3 V | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 100µA | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 7.74mm | |
| 高度 | 2.66mm | |
| 最大功率耗散 | 40 W | |
| 长度 | 11.04mm | |
| 尺寸 | 11.04 x 7.74 x 2.66mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 4 A | ||
最大集电极-发射极电压 80 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
封装类型 TO-225AA | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 100 | ||
最大基极-发射极饱和电压 4 V | ||
最大集电极-基极电压 80 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 3 V | ||
最大集电极-基极截止电流 100µA | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 7.74mm | ||
高度 2.66mm | ||
最大功率耗散 40 W | ||
长度 11.04mm | ||
尺寸 11.04 x 7.74 x 2.66mm | ||