TIP125G 双集电极、单 PNP 达林顿晶体管, 8 A 60 V, HFE=1000, 4针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 774-3650
- 制造商零件编号:
- TIP125G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | RMB4.412 | RMB22.06 |
| 100 - 245 | RMB2.31 | RMB11.55 |
| 250 - 495 | RMB2.264 | RMB11.32 |
| 500 - 995 | RMB2.218 | RMB11.09 |
| 1000 + | RMB1.776 | RMB8.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 774-3650
- 制造商零件编号:
- TIP125G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大连续集电极电流 | 8 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 | 1000 | |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 4 V | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 0.5mA | |
| 最大功率耗散 | 65 W | |
| 宽度 | 10.28mm | |
| 高度 | 4.82mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 尺寸 | 15.75 x 10.28 x 4.82mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大连续集电极电流 8 A | ||
最大集电极-发射极电压 60 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 1000 | ||
最大集电极-基极电压 60 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 4 V | ||
最大集电极-基极截止电流 0.5mA | ||
最大功率耗散 65 W | ||
宽度 10.28mm | ||
高度 4.82mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 15.75mm | ||
尺寸 15.75 x 10.28 x 4.82mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||