MMBT6427LT1G 共集电极 NPN 达林顿晶体管, 500 mA 40 V, HFE=10000, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 781-4253
- 制造商零件编号:
- MMBT6427LT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | RMB0.443 | RMB44.30 |
| 200 - 400 | RMB0.434 | RMB43.40 |
| 500 - 900 | RMB0.425 | RMB42.50 |
| 1000 - 1900 | RMB0.294 | RMB29.40 |
| 2000 + | RMB0.288 | RMB28.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 781-4253
- 制造商零件编号:
- MMBT6427LT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 500 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 40 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 12 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最小直流电流增益 | 10000 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 2 V | |
| 最大集电极-基极电压 | 40 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.5 V | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 50nA | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 500 mA | ||
最大集电极-发射极电压 40 V | ||
最大发射极-基极电压 12 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最小直流电流增益 10000 | ||
最大基极-发射极饱和电压 2 V | ||
最大集电极-基极电压 40 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V | ||
最大集电极-基极截止电流 50nA | ||
宽度 1.4mm | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 3.04mm | ||
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||
高度 1.01mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||