MJD112-1G NPN 达林顿晶体管, 2 A 100 V, HFE=1000, 3针 IPAK封装
- RS 库存编号:
- 790-5315
- 制造商零件编号:
- MJD112-1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | RMB6.533 | RMB98.00 |
| 30 - 60 | RMB6.405 | RMB96.08 |
| 75 - 135 | RMB6.279 | RMB94.19 |
| 150 - 285 | RMB4.031 | RMB60.47 |
| 300 + | RMB3.952 | RMB59.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-5315
- 制造商零件编号:
- MJD112-1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 2 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 | 1000 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 4 V | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 3 V | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 20µA | |
| 最大功率耗散 | 20 W | |
| 宽度 | 2.38mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 2.38 x 6.35mm | |
| 高度 | 6.35mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 2 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
封装类型 IPAK (TO-251) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 1000 | ||
最大基极-发射极饱和电压 4 V | ||
最大集电极-基极电压 100 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 3 V | ||
最大集电极-基极截止电流 20µA | ||
最大功率耗散 20 W | ||
宽度 2.38mm | ||
尺寸 6.73 x 2.38 x 6.35mm | ||
高度 6.35mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.73mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||