TIP112G NPN 达林顿晶体管, 2 A 100 V, HFE=500, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 790-5491
- 制造商零件编号:
- TIP112G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB3.569 | RMB35.69 |
| 20 - 40 | RMB3.499 | RMB34.99 |
| 50 - 90 | RMB3.43 | RMB34.30 |
| 100 - 190 | RMB2.254 | RMB22.54 |
| 200 + | RMB2.21 | RMB22.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-5491
- 制造商零件编号:
- TIP112G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 2 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 | 500 | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 2.5 V | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 2mA | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 长度 | 10.28mm | |
| 尺寸 | 10.28 x 4.82 x 15.75mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 2 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 500 | ||
最大集电极-基极电压 100 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V | ||
最大集电极-基极截止电流 2mA | ||
宽度 4.82mm | ||
最大功率耗散 50 W | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
长度 10.28mm | ||
尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 15.75mm | ||