Toshiba ULN2003APG NPN 达林顿晶体管阵列, 500 mA, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 PDIP封装
- RS 库存编号:
- 796-5320
- 制造商零件编号:
- ULN2003APG
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB1.343 | RMB26.86 |
| 100 - 980 | RMB1.317 | RMB26.34 |
| 1000 - 1480 | RMB1.291 | RMB25.82 |
| 1500 - 1980 | RMB1.265 | RMB25.30 |
| 2000 + | RMB1.24 | RMB24.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 796-5320
- 制造商零件编号:
- ULN2003APG
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 500 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装类型 | PDIP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 晶体管配置 | 共发射极 | |
| 每片芯片元件数目 | 7 | |
| 最小直流电流增益 | 1000 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.6 V | |
| 尺寸 | 19.25 x 6.4 x 3.5mm | |
| 长度 | 19.25mm | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 宽度 | 6.4mm | |
| 最大功率耗散 | 1.47 W | |
| 高度 | 3.5mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 500 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
封装类型 PDIP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 16 | ||
晶体管配置 共发射极 | ||
每片芯片元件数目 7 | ||
最小直流电流增益 1000 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V | ||
尺寸 19.25 x 6.4 x 3.5mm | ||
长度 19.25mm | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
宽度 6.4mm | ||
最大功率耗散 1.47 W | ||
高度 3.5mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||