2N6667G PNP 达林顿晶体管 60 V, HFE=1000, 3针 TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 800-9213P
- 制造商零件编号:
- 2N6667G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 20 件 (按管提供)*
RMB73.26
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RMB82.78
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 20 | RMB3.663 |
| 30 - 30 | RMB3.377 |
| 40 - 40 | RMB3.146 |
| 50 + | RMB2.937 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 800-9213P
- 制造商零件编号:
- 2N6667G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大连续集电极电流 | 10 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 | 1000 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 4.5 V 直流 | |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V 直流 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 3 V 直流 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 10.28 x 4.82 x 15.75mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 长度 | 10.28mm | |
| 最大功率耗散 | 65 W | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大连续集电极电流 10 A | ||
最大集电极-发射极电压 60 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 1000 | ||
最大基极-发射极饱和电压 4.5 V 直流 | ||
最大集电极-基极电压 60 V 直流 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 3 V 直流 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
长度 10.28mm | ||
最大功率耗散 65 W | ||
高度 15.75mm | ||
宽度 4.82mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN