NJD35N04T4G 双 NPN 达林顿晶体管, 4 A 350 V, HFE=2000, 3针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 806-5046P
- 制造商零件编号:
- NJD35N04T4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
RMB167.20
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RMB188.95
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 75 | RMB3.344 |
| 100 - 225 | RMB2.705 |
| 250 - 475 | RMB2.652 |
| 500 + | RMB2.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-5046P
- 制造商零件编号:
- NJD35N04T4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 4 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 350 | |
| 包装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 5 | |
| 最大功耗 Pd | 45 | |
| 最低工作温度 | -65 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 700 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.5 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 宽度 | 6.22 | |
| 长度 | 6.73 | |
| 标准/认证 | No | |
| 系列 | NJD35N04 | |
| 高度 | 2.38 | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 250 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 4 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 350 | ||
包装类型 DPAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管极性 NPN | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 5 | ||
最大功耗 Pd 45 | ||
最低工作温度 -65 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 700 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.5 | ||
最高工作温度 150 | ||
宽度 6.22 | ||
长度 6.73 | ||
标准/认证 No | ||
系列 NJD35N04 | ||
高度 2.38 | ||
最大集电极-基极截止电流 250 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY