BDW93CTU NPN 达林顿晶体管, 12 A 100 V, HFE=100, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 807-5175P
- 制造商零件编号:
- BDW93CTU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 50 件 (按管提供)*
RMB270.00
(不含税)
RMB305.00
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB5.40 |
| 100 - 490 | RMB4.29 |
| 500 - 990 | RMB3.575 |
| 1000 + | RMB2.99 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-5175P
- 制造商零件编号:
- BDW93CTU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 12 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 | 100 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 4 V | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 3 V | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 1 mA, 100 μA | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 最大功率耗散 | 80 W | |
| 尺寸 | 9.9 x 4.5 x 15.95mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 15.95mm | |
| 长度 | 9.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 12 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 100 | ||
最大基极-发射极饱和电压 4 V | ||
最大集电极-基极电压 100 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 3 V | ||
最大集电极-基极截止电流 1 mA, 100 μA | ||
宽度 4.5mm | ||
最大功率耗散 80 W | ||
尺寸 9.9 x 4.5 x 15.95mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 15.95mm | ||
长度 9.9mm | ||