TIP111TU 双 NPN 达林顿晶体管, 4 A 80 V, HFE=500, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 808-0499
- 制造商零件编号:
- TIP111TU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB94.00
(不含税)
RMB106.25
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB3.76 | RMB94.00 |
| 125 - 225 | RMB2.479 | RMB61.98 |
| 250 - 1225 | RMB2.43 | RMB60.75 |
| 1250 - 2475 | RMB1.76 | RMB44.00 |
| 2500 + | RMB1.64 | RMB41.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 808-0499
- 制造商零件编号:
- TIP111TU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 4 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 80 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最小直流电流增益 | 500 | |
| 最大集电极-基极电压 | 80 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 2.5 V | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 2mA | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 尺寸 | 10.67 x 4.83 x 16.51mm | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 高度 | 16.51mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 4 A | ||
最大集电极-发射极电压 80 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最小直流电流增益 500 | ||
最大集电极-基极电压 80 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V | ||
最大集电极-基极截止电流 2mA | ||
长度 10.67mm | ||
尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm | ||
最大功率耗散 50 W | ||
宽度 4.83mm | ||
高度 16.51mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||