ULN2003LVDR 阵列 NPN 达林顿晶体管阵列, 140 mA 8 V, 16针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 809-5475
- 制造商零件编号:
- ULN2003LVDR
- 制造商:
- Texas Instruments
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB4.14 |
| 10 - 24 | RMB3.53 |
| 25 - 99 | RMB3.09 |
| 100 - 249 | RMB2.64 |
| 250 + | RMB2.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 809-5475
- 制造商零件编号:
- ULN2003LVDR
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 140 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 8 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 晶体管配置 | 共发射极 | |
| 每片芯片元件数目 | 7 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.49 V | |
| 长度 | 10mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 尺寸 | 10 x 4 x 1.5mm | |
| 最大功率耗散 | 580 mW | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 140 mA | ||
最大集电极-发射极电压 8 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 16 | ||
晶体管配置 共发射极 | ||
每片芯片元件数目 7 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.49 V | ||
长度 10mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
尺寸 10 x 4 x 1.5mm | ||
最大功率耗散 580 mW | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 4mm | ||
- COO (Country of Origin):
- PH