NXP BCV48 Dual PNP Darlington Transistor, -500 mA dc -60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-89
- RS 库存编号:
- 816-7750
- 制造商零件编号:
- BCV48
- 制造商:
- NXP
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RMB49.06
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 980 | RMB2.453 | RMB49.06 |
| 1000 - 4980 | RMB1.841 | RMB36.82 |
| 5000 - 9980 | RMB1.475 | RMB29.50 |
| 10000 - 19980 | RMB1.229 | RMB24.58 |
| 20000 + | RMB1.053 | RMB21.06 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 816-7750
- 制造商零件编号:
- BCV48
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大连续集电极电流 | -500 mA 直流 | |
| 最大集电极-发射极电压 | -60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -10 V | |
| 封装类型 | SOT-89 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最小直流电流增益 | 2000 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.5 V | |
| 最大集电极-基极电压 | -80 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -1 V | |
| 最大集电极-基极截止电流 | -100nA | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 4.6mm | |
| 尺寸 | 4.6 x 2.6 x 1.6mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 宽度 | 2.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大连续集电极电流 -500 mA 直流 | ||
最大集电极-发射极电压 -60 V | ||
最大发射极-基极电压 -10 V | ||
封装类型 SOT-89 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最小直流电流增益 2000 | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1.5 V | ||
最大集电极-基极电压 -80 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -1 V | ||
最大集电极-基极截止电流 -100nA | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 4.6mm | ||
尺寸 4.6 x 2.6 x 1.6mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
最大功率耗散 1.3 W | ||
高度 1.6mm | ||
宽度 2.6mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN