MJ11012G NPN 达林顿晶体管, 30 A 60 V, HFE=200, 2针 TO-204AA封装
- RS 库存编号:
- 862-4954
- 制造商零件编号:
- MJ11012G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 2 件）*
RMB45.76
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RMB51.70
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB22.88 | RMB45.76 |
| 10 - 18 | RMB19.69 | RMB39.38 |
| 20 - 48 | RMB18.81 | RMB37.62 |
| 50 - 98 | RMB18.37 | RMB36.74 |
| 100 + | RMB18.04 | RMB36.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 862-4954
- 制造商零件编号:
- MJ11012G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 30 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 封装类型 | TO-204AA | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 5 V | |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 4 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 200 W | |
| 高度 | 8.51mm | |
| 尺寸 | 21.08 (Dia.) x 8.51mm | |
| 最高工作温度 | +200 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 30 A | ||
最大集电极-发射极电压 60 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
封装类型 TO-204AA | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 2 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最小直流电流增益 200 | ||
最大基极-发射极饱和电压 5 V | ||
最大集电极-基极电压 60 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 4 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最大功率耗散 200 W | ||
高度 8.51mm | ||
尺寸 21.08 (Dia.) x 8.51mm | ||
最高工作温度 +200 °C | ||