Nexperia, PDTD123TT,215 NPN Digital Transistor, 500 mA 50 V 2.2 kΩ, Ratio Of None, 3-Pin SOT-23
- RS 库存编号:
- 508-545
- 制造商零件编号:
- PDTD123TT
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB25.75
(不含税)
RMB29.10
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年7月13日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.515 | RMB25.75 |
| 100 - 150 | RMB0.429 | RMB21.45 |
| 200 - 350 | RMB0.396 | RMB19.80 |
| 400 - 450 | RMB0.358 | RMB17.90 |
| 500 + | RMB0.343 | RMB17.15 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 508-545
- 制造商零件编号:
- PDTD123TT
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大连续集电极电流 | 500 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | SOT-23 (TO-236AB) | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最小直流电流增益 | 100 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.3 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 典型电阻比 | 无 | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大连续集电极电流 500 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
典型输入电阻器 2.2 kΩ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 SOT-23 (TO-236AB) | ||
引脚数目 3 | ||
最小直流电流增益 100 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
典型电阻比 无 | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
尺寸 3 x 1.4 x 1mm | ||
长度 3mm | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.4mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN