Nexperia, PDTB123ET,215 PNP Digital Transistor, 500 mA 50 V 2.2 kΩ, Ratio Of 1, 3-Pin SOT-23
- RS 库存编号:
- 508-888
- 制造商零件编号:
- PDTB123ET
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB15.70
(不含税)
RMB17.75
(含税)
有库存
- 另外 5,100 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.314 | RMB15.70 |
| 100 - 150 | RMB0.31 | RMB15.50 |
| 200 - 350 | RMB0.304 | RMB15.20 |
| 400 - 450 | RMB0.291 | RMB14.55 |
| 500 + | RMB0.285 | RMB14.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 508-888
- 制造商零件编号:
- PDTB123ET
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大连续集电极电流 | 500 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | SOT-23 (TO-236AB) | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最小直流电流增益 | 40 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.3 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 10 V | |
| 典型电阻比 | 1 | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 PNP | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大连续集电极电流 500 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
典型输入电阻器 2.2 kΩ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 SOT-23 (TO-236AB) | ||
引脚数目 3 | ||
最小直流电流增益 40 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V | ||
最大发射极-基极电压 10 V | ||
典型电阻比 1 | ||
宽度 1.4mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 3 x 1.4 x 1mm | ||
长度 3mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN