NXP, PDTC115TE,115 NPN Digital Transistor, 100 mA 50 V 100 kΩ, 3-Pin SOT-416
- RS 库存编号:
- 725-8502P
- 制造商零件编号:
- PDTC115TE,115
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 400 - 400 | RMB0.20 |
| 600 - 600 | RMB0.18 |
| 800 - 800 | RMB0.15 |
| 1000 + | RMB0.14 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 725-8502P
- 制造商零件编号:
- PDTC115TE,115
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大连续集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 典型输入电阻器 | 100 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | SOT-416 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最小直流电流增益 | 100 | |
| 最大功率耗散 | 150 mW | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.15 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 宽度 | 0.9mm | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.8mm | |
| 尺寸 | 1.8 x 0.9 x 0.85mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大连续集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
典型输入电阻器 100 kΩ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 SOT-416 | ||
引脚数目 3 | ||
最小直流电流增益 100 | ||
最大功率耗散 150 mW | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
宽度 0.9mm | ||
高度 0.85mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.8mm | ||
尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY