DTA114EM3T5G PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3针 SOT-723封装
- RS 库存编号:
- 801-0046
- 制造商零件编号:
- DTA114EM3T5G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 200 件）*
RMB112.20
(不含税)
RMB126.80
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | RMB0.561 | RMB112.20 |
| 400 - 800 | RMB0.55 | RMB110.00 |
| 1000 - 1800 | RMB0.385 | RMB77.00 |
| 2000 - 4800 | RMB0.374 | RMB74.80 |
| 5000 + | RMB0.297 | RMB59.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-0046
- 制造商零件编号:
- DTA114EM3T5G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大连续集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 典型输入电阻器 | 10 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | SOT-723 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最小直流电流增益 | 35 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大功率耗散 | 338 mW | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.25 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 典型电阻比 | 1 | |
| 长度 | 1.25mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.55mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 0.85mm | |
| 尺寸 | 1.25 x 0.85 x 0.55mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大连续集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
典型输入电阻器 10 kΩ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 SOT-723 | ||
引脚数目 3 | ||
最小直流电流增益 35 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大功率耗散 338 mW | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
典型电阻比 1 | ||
长度 1.25mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.55mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 0.85mm | ||
尺寸 1.25 x 0.85 x 0.55mm | ||