DTC124EET1G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3针 SC-75封装
- RS 库存编号:
- 801-0109
- 制造商零件编号:
- DTC124EET1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 250 件）*
RMB85.75
(不含税)
RMB97.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | RMB0.343 | RMB85.75 |
| 500 - 500 | RMB0.337 | RMB84.25 |
| 750 - 1000 | RMB0.33 | RMB82.50 |
| 1250 - 2250 | RMB0.235 | RMB58.75 |
| 2500 + | RMB0.23 | RMB57.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-0109
- 制造商零件编号:
- DTC124EET1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大连续集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 典型输入电阻器 | 22 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | SOT-416 (SC-75) | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最小直流电流增益 | 60 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.25 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 典型电阻比 | 1 | |
| 宽度 | 0.9mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 1.65 x 0.9 x 0.8mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 1.65mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大连续集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
典型输入电阻器 22 kΩ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 SOT-416 (SC-75) | ||
引脚数目 3 | ||
最小直流电流增益 60 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
典型电阻比 1 | ||
宽度 0.9mm | ||
高度 0.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 1.65 x 0.9 x 0.8mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 1.65mm | ||