EMD4DXV6T1G 双 NPN，PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6针 SOT-563封装
- RS 库存编号:
- 801-0159
- 制造商零件编号:
- EMD4DXV6T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 100 件）*
RMB41.70
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | RMB0.417 | RMB41.70 |
| 200 - 400 | RMB0.382 | RMB38.20 |
| 500 - 900 | RMB0.353 | RMB35.30 |
| 1000 - 2400 | RMB0.328 | RMB32.80 |
| 2500 + | RMB0.306 | RMB30.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-0159
- 制造商零件编号:
- EMD4DXV6T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN + PNP | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最大连续集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 典型输入电阻器 | 10 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | SOT-563 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最小直流电流增益 | 80 | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.25 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 典型电阻比 | 0.21 | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.3 x 0.6mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN + PNP | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最大连续集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
典型输入电阻器 10 kΩ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 SOT-563 | ||
引脚数目 6 | ||
最小直流电流增益 80 | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
典型电阻比 0.21 | ||
宽度 1.3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.6mm | ||
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 1.7mm | ||