NXP, PBLS2023D, Dual NPN + PNP Digital Transistor, -1.8 (PNP) A, 100 (NPN) mA -20 (PNP) V, 50 (NPN) V 10 kΩ, Ratio
- RS 库存编号:
- 801-5592P
- 制造商零件编号:
- PBLS2023D
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 475 | RMB1.504 |
| 500 - 975 | RMB1.324 |
| 1000 - 2975 | RMB1.188 |
| 3000 + | RMB1.083 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-5592P
- 制造商零件编号:
- PBLS2023D
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN + PNP | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最大连续集电极电流 | -1.8 (PNP) A, 100 (NPN) mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | -20 (PNP) V, 50 (NPN) V | |
| 典型输入电阻器 | 10 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | SOT-457 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最小直流电流增益 | 220 (PNP), 30 (NPN) | |
| 最大功率耗散 | 760 mW | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 150 (NPN) mV，-70 (PNP) mV | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 (PNP), 10 (NPN) V | |
| 典型电阻比 | 1 | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1 V | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN + PNP | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最大连续集电极电流 -1.8 (PNP) A, 100 (NPN) mA | ||
最大集电极-发射极电压 -20 (PNP) V, 50 (NPN) V | ||
典型输入电阻器 10 kΩ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 SOT-457 | ||
引脚数目 6 | ||
最小直流电流增益 220 (PNP), 30 (NPN) | ||
最大功率耗散 760 mW | ||
最大集电极-发射极饱和电压 150 (NPN) mV，-70 (PNP) mV | ||
最大发射极-基极电压 -5 (PNP), 10 (NPN) V | ||
典型电阻比 1 | ||
长度 3.1mm | ||
宽度 1.7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.1mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1 V | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY