MUN5237DW1T1G 双 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 6针 SOT-363封装
- RS 库存编号:
- 802-1941P
- 制造商零件编号:
- MUN5237DW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 200 | RMB0.899 |
| 250 - 450 | RMB0.881 |
| 500 - 950 | RMB0.864 |
| 1000 + | RMB0.666 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-1941P
- 制造商零件编号:
- MUN5237DW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 典型输入电阻器 | 47 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最小直流电流增益 | 80 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大功率耗散 | 385 mW | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.25 V | |
| 典型电阻比 | 2.13 | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
典型输入电阻器 47 kΩ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
引脚数目 6 | ||
最小直流电流增益 80 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大功率耗散 385 mW | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V | ||
典型电阻比 2.13 | ||
长度 2.2mm | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
宽度 1.35mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN