NSTB1002DXV5T1G 双 NPN，PNP 数字晶体管, 100 (NPN) mA, -200 (PNP) mA, Vce=-40 (PNP) V, 50 (NPN) V, 47 kΩ, 电阻比:1, 5针 SOT-553封装
- RS 库存编号:
- 802-4118
- 制造商零件编号:
- NSTB1002DXV5T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB40.20
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.804 | RMB40.20 |
| 100 - 200 | RMB0.787 | RMB39.35 |
| 250 - 450 | RMB0.773 | RMB38.65 |
| 500 - 950 | RMB0.758 | RMB37.90 |
| 1000 + | RMB0.738 | RMB36.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-4118
- 制造商零件编号:
- NSTB1002DXV5T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN + PNP | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最大连续集电极电流 | 100 mA，200 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 40 V、50 V | |
| 典型输入电阻器 | 47 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | SOT-553 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最小直流电流增益 | 100 | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.25 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 典型电阻比 | 1 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.85 V | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.3 x 0.6mm | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN + PNP | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最大连续集电极电流 100 mA，200 mA | ||
最大集电极-发射极电压 40 V、50 V | ||
典型输入电阻器 47 kΩ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 SOT-553 | ||
引脚数目 5 | ||
最小直流电流增益 100 | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
典型电阻比 1 | ||
最大基极-发射极饱和电压 0.85 V | ||
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm | ||
高度 0.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.3mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 1.7mm | ||