STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1500 V, 2.5 A, H2PAK-2, 贴片安装, 3引脚, STH3N150-2
- RS 库存编号:
- 103-2012P
- 制造商零件编号:
- FH26W-61S-0.3SHW(97)
- 制造商:
- Hirose
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
RMB240.80
(不含税)
RMB272.10
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年7月20日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB24.08 |
| 100 - 249 | RMB21.96 |
| 250 + | RMB19.22 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 103-2012P
- 制造商零件编号:
- FH26W-61S-0.3SHW(97)
- 制造商:
- Hirose
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Hirose | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.5 | |
| 最大漏源电压 Vd | 1500 | |
| 系列 | MDmesh | |
| 包装类型 | H2PAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29.3 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 | |
| 最大功耗 Pd | 140 | |
| 正向电压 Vf | 1.2 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 10.4 | |
| 高度 | 4.8 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 15.8 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Hirose | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2.5 | ||
最大漏源电压 Vd 1500 | ||
系列 MDmesh | ||
包装类型 H2PAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29.3 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 | ||
最大功耗 Pd 140 | ||
正向电压 Vf 1.2 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 10.4 | ||
高度 4.8 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 15.8 | ||
汽车标准 否 | ||