Infineon SGB10N60A, N沟道 IGBT 晶体管, 21 A, Vce=600 V, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 419-1447
- 制造商零件编号:
- SGB10N60A
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB12.726 | RMB63.63 |
| 10 - 15 | RMB11.932 | RMB59.66 |
| 20 - 45 | RMB11.23 | RMB56.15 |
| 50 - 95 | RMB10.604 | RMB53.02 |
| 100 + | RMB10.182 | RMB50.91 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 419-1447
- 制造商零件编号:
- SGB10N60A
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 21 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 10.25mm | |
| 宽度 | 9.9mm | |
| 高度 | 4.4mm | |
| 尺寸 | 10.25 x 9.9 x 4.4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 21 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 10.25mm | ||
宽度 9.9mm | ||
高度 4.4mm | ||
尺寸 10.25 x 9.9 x 4.4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||