Fairchild Semiconductor FGL60N100BNTD, N沟道 IGBT 晶体管, 60 A, Vce=1000 V, 3针 TO-264封装

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671-5402
制造商零件编号:
FGL60N100BNTD
制造商:
Fairchild Semiconductor
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品牌

Fairchild Semiconductor

最大连续集电极电流

60 A

最大集电极-发射极电压

1000 V

最大栅极发射极电压

±25V

封装类型

TO-264

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

长度

20mm

宽度

5mm

高度

26mm

尺寸

20 x 5 x 26mm

最高工作温度

+150 °C

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN