STMicroelectronics STGD10NC60KDT4, N沟道 IGBT 晶体管, 20 A, Vce=600 V, 3针 D-PAK封装

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686-8332
制造商零件编号:
STGD10NC60KDT4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流

20 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

±20V

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

表面贴装

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

高度

2.4mm

尺寸

6.6 x 6.2 x 2.4mm

最高工作温度

+150 °C

最低工作温度

-55 °C