STMicroelectronics STGE200NB60S, N沟道 IGBT 晶体管, 200 A 双发射极, Vce=600 V, 4针 ISOTOP封装
- RS 库存编号:
- 686-8348
- 制造商零件编号:
- STGE200NB60S
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 1 | RMB163.37 |
| 2 - 4 | RMB160.17 |
| 5 - 9 | RMB157.02 |
| 10 - 19 | RMB153.94 |
| 20 + | RMB150.93 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 686-8348
- 制造商零件编号:
- STGE200NB60S
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 200 | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 600 | |
| 最大功耗 Pd | 600 | |
| 包装类型 | 同位体 | |
| 安装类型 | 夹式安装 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 开关速度 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.6 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 38.2 | |
| 高度 | 9.1 | |
| 系列 | Low drop | |
| 宽度 | 25.5 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 Ic 200 | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 600 | ||
最大功耗 Pd 600 | ||
包装类型 同位体 | ||
安装类型 夹式安装 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 4 | ||
开关速度 1 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.6 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
长度 38.2 | ||
高度 9.1 | ||
系列 Low drop | ||
宽度 25.5 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN