ON Semiconductor NGD8201ANT4G, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, 双,单, Vce=440 V, 4针 D-PAK封装
- RS 库存编号:
- 747-0901
- 制造商零件编号:
- NGD8201ANT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB10.14 |
| 10 - 49 | RMB8.31 |
| 50 - 99 | RMB8.14 |
| 100 - 249 | RMB6.39 |
| 250 + | RMB6.26 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 747-0901
- 制造商零件编号:
- NGD8201ANT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 50 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 440 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±15V | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 7.49mm | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 7.49 x 2.38mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 50 A | ||
最大集电极-发射极电压 440 V | ||
最大栅极发射极电压 ±15V | ||
最大功率耗散 125 W | ||
封装类型 DPAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 7.49mm | ||
高度 2.38mm | ||
尺寸 6.73 x 7.49 x 2.38mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||