Infineon SGD02N120, N沟道 IGBT 晶体管, 6.2 A, Vce=1200 V, 3针 PG-TO-252-3-11封装

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RS 库存编号:
752-8441
制造商零件编号:
SGD02N120
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

6.2 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

62 W

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

表面贴装

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

长度

6.5mm

宽度

6.22mm

高度

2.3mm

尺寸

6.5 x 6.22 x 2.3mm

最高工作温度

+150 °C

最低工作温度

-55 °C