ON Semiconductor NGTG15N60S1EG, N沟道 IGBT 晶体管, 30 A, 双电极, Vce=600 V, 4针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 769-5810P
- 制造商零件编号:
- NGTG15N60S1EG
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计 20 件 (按管提供)*
RMB139.00
(不含税)
RMB157.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 198 | RMB6.95 |
| 200 - 498 | RMB5.75 |
| 500 - 998 | RMB5.10 |
| 1000 + | RMB4.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 769-5810P
- 制造商零件编号:
- NGTG15N60S1EG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 30 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 117 W | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 长度 | 10.28mm | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 尺寸 | 10.28 x 4.82 x 15.75mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 30 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 117 W | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 4 | ||
长度 10.28mm | ||
宽度 4.82mm | ||
高度 15.75mm | ||
尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||