ON Semiconductor NGTB25N120LWG, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, 双电极, Vce=1200 V, 4针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 769-5816P
- 制造商零件编号:
- NGTB25N120LWG
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 10 件 (按管提供)*
RMB222.00
(不含税)
RMB250.90
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB22.20 |
| 100 - 249 | RMB18.30 |
| 250 - 499 | RMB16.20 |
| 500 + | RMB14.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 769-5816P
- 制造商零件编号:
- NGTB25N120LWG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 50 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 192 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 长度 | 16.26mm | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 高度 | 21.08mm | |
| 尺寸 | 16.26 x 5.3 x 21.08mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 50 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 192 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 4 | ||
长度 16.26mm | ||
宽度 5.3mm | ||
高度 21.08mm | ||
尺寸 16.26 x 5.3 x 21.08mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||