ON Semiconductor NGTB15N60S1EG, N沟道 IGBT 晶体管, 30 A, 单双集电极, Vce=600 V, 3针 TO220封装
- RS 库存编号:
- 773-7364P
- 制造商零件编号:
- NGTB15N60S1EG
- 制造商:
- ON Semiconductor
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RMB96.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 48 | RMB8.50 |
| 50 - 98 | RMB7.50 |
| 100 - 248 | RMB6.00 |
| 250 + | RMB5.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 773-7364P
- 制造商零件编号:
- NGTB15N60S1EG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 30 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 117 W | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 10.28mm | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 尺寸 | 10.28 x 4.82 x 15.75mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 30 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 117 W | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 10.28mm | ||
宽度 4.82mm | ||
高度 15.75mm | ||
尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||