STMicroelectronics STGW40V60F, N沟道 IGBT 晶体管, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-247封装

可享批量折扣

小计(1 包,共 5 件)*

RMB119.00

(不含税)

RMB134.45

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看

单位
每单位
每包*
5 - 45RMB23.80RMB119.00
50 - 145RMB19.10RMB95.50
150 - 295RMB17.40RMB87.00
300 - 595RMB15.70RMB78.50
600 +RMB14.00RMB70.00

* 参考价格

Packaging Options:
RS 库存编号:
791-7649
制造商零件编号:
STGW40V60F
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流

40 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

283 W

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

1MHz

晶体管配置

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

高度

20.15mm

尺寸

15.75 x 5.15 x 20.15mm

最高工作温度

+175 °C

最低工作温度

-55 °C