STMicroelectronics STGWT40V60DF, N沟道 IGBT 晶体管, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-3P封装

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791-7665
制造商零件编号:
STGWT40V60DF
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流

40 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

283 W

封装类型

TO-3P

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

1MHz

长度

15.7mm

宽度

5.7mm

高度

26.7mm

尺寸

15.7 x 5.7 x 26.7mm

最高工作温度

+175 °C

最低工作温度

-55 °C