STMicroelectronics STGWT40V60DLF, N沟道 IGBT 晶体管, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-3P封装
- RS 库存编号:
- 791-7674
- 制造商零件编号:
- STGWT40V60DLF
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB147.50
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RMB166.70
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB29.50 | RMB147.50 |
| 50 - 70 | RMB23.254 | RMB116.27 |
| 75 - 145 | RMB18.986 | RMB94.93 |
| 150 - 295 | RMB16.016 | RMB80.08 |
| 300 + | RMB15.114 | RMB75.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 791-7674
- 制造商零件编号:
- STGWT40V60DLF
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 40 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 283 W | |
| 封装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 15.7mm | |
| 宽度 | 5.7mm | |
| 高度 | 26.7mm | |
| 尺寸 | 15.7 x 5.7 x 26.7mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 40 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 283 W | ||
封装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 15.7mm | ||
宽度 5.7mm | ||
高度 26.7mm | ||
尺寸 15.7 x 5.7 x 26.7mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||