STMicroelectronics STGFW20V60DF, N沟道 IGBT 晶体管, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-3P封装
- RS 库存编号:
- 791-9355
- 制造商零件编号:
- STGFW20V60DF
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB88.33
(不含税)
RMB99.81
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
包装 | 每包 | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 9 | RMB88.33 | RMB17.666 |
| 10 - 19 | RMB64.13 | RMB12.826 |
| 20 - 29 | RMB56.87 | RMB11.374 |
| 30 - 59 | RMB54.45 | RMB10.89 |
| 60 + | RMB52.36 | RMB10.472 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 791-9355
- 制造商零件编号:
- STGFW20V60DF
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 40 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 52 W | |
| 封装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 15.7mm | |
| 宽度 | 5.7mm | |
| 高度 | 26.7mm | |
| 尺寸 | 15.7 x 5.7 x 26.7mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 40 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 52 W | ||
封装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 15.7mm | ||
宽度 5.7mm | ||
高度 26.7mm | ||
尺寸 15.7 x 5.7 x 26.7mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||