STMicroelectronics STGD20N40LZ, N沟道 IGBT 晶体管, 25 A, Vce=425 V, 3针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 792-5763
- 制造商零件编号:
- STGD20N40LZ
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计(1 包,共 5 件)*
RMB80.24
(不含税)
RMB90.67
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB16.048 | RMB80.24 |
| 25 - 95 | RMB12.978 | RMB64.89 |
| 100 - 245 | RMB11.674 | RMB58.37 |
| 250 - 495 | RMB10.372 | RMB51.86 |
| 500 + | RMB9.048 | RMB45.24 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5763
- 制造商零件编号:
- STGD20N40LZ
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 25 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 425 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 16V | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 25 A | ||
最大集电极-发射极电压 425 V | ||
最大栅极发射极电压 16V | ||
最大功率耗散 125 W | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 6.6mm | ||
宽度 6.2mm | ||
高度 2.4mm | ||
尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
