STMicroelectronics STGW20H60DF, N沟道 IGBT 晶体管, 40 A, Vce=600 V, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 792-5798
- 制造商零件编号:
- STGW20H60DF
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 24 | RMB21.85 | RMB43.70 |
| 26 - 98 | RMB19.505 | RMB39.01 |
| 100 - 248 | RMB15.99 | RMB31.98 |
| 250 - 498 | RMB14.43 | RMB28.86 |
| 500 + | RMB12.50 | RMB25.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5798
- 制造商零件编号:
- STGW20H60DF
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 40 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 600 | |
| 最大功耗 Pd | 167 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 宽度 | 5.15 | |
| 长度 | 15.75 | |
| 高度 | 20.15 | |
| 标准/认证 | No | |
| 系列 | Trench gate field stop | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 40 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 600 | ||
最大功耗 Pd 167 | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 175 | ||
宽度 5.15 | ||
长度 15.75 | ||
高度 20.15 | ||
标准/认证 No | ||
系列 Trench gate field stop | ||
汽车标准 否 | ||
