STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247, 通孔安装, 1 MHz
- RS 库存编号:
- 792-5805
- 制造商零件编号:
- STGW40H65FB
- 制造商:
- STMicroelectronics
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RMB77.66
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包装 | 每包 | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 12 | RMB77.66 | RMB38.83 |
| 13 - 49 | RMB62.81 | RMB31.405 |
| 50 - 124 | RMB55.88 | RMB27.94 |
| 125 - 249 | RMB51.70 | RMB25.85 |
| 250 + | RMB46.42 | RMB23.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5805
- 制造商零件编号:
- STGW40H65FB
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 80 | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650 | |
| 最大功耗 Pd | 283 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.3 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 宽度 | 5.15 | |
| 系列 | H | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 15.75 | |
| 高度 | 20.15 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 Ic 80 | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650 | ||
最大功耗 Pd 283 | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.3 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 175 | ||
宽度 5.15 | ||
系列 H | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 15.75 | ||
高度 20.15 | ||
汽车标准 否 | ||