STMicroelectronics STGWT20V60F, N沟道 IGBT 晶体管, 40 A, Vce=600 V, 3针 TO-3P封装

可享批量折扣

小计(1 包,共 2 件)*

RMB41.40

(不含税)

RMB46.78

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看

包装
每包
每单位*
1 - 12RMB41.40RMB20.70
13 - 49RMB33.40RMB16.70
50 - 124RMB29.60RMB14.80
125 - 249RMB27.40RMB13.70
250 +RMB24.60RMB12.30

* 参考价格

RS 库存编号:
792-5824
制造商零件编号:
STGWT20V60F
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流

40 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

167 W

封装类型

TO-3P

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

长度

15.8mm

宽度

5mm

高度

20.1mm

尺寸

15.8 x 5 x 20.1mm

最高工作温度

+175 °C

最低工作温度

-55 °C