STMicroelectronics STGD18N40LZT4, N沟道 IGBT 晶体管, 30 A, Vce=420 V, 1MHz, 3针 DPAK封装

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RS 库存编号:
795-9019
制造商零件编号:
STGD18N40LZT4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流

30 A

最大集电极-发射极电压

420 V

最大栅极发射极电压

16V

最大功率耗散

125 W

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

表面贴装

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

1MHz

晶体管配置

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

高度

2.4mm

尺寸

6.6 x 6.2 x 2.4mm

最低工作温度

-55 °C

最高工作温度

+175 °C