STMicroelectronics STGW39NC60VD, N沟道 IGBT 晶体管, 80 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-247封装

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795-9209
制造商零件编号:
STGW39NC60VD
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流

80 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

250 W

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

1MHz

晶体管配置

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

高度

20.15mm

尺寸

15.75 x 5.15 x 20.15mm

最低工作温度

-55 °C

最高工作温度

+150 °C