ON Semiconductor NGTB30N120FL2WG, N沟道 IGBT 晶体管, 60 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 796-1337
- 制造商零件编号:
- NGTB30N120FL2WG
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB86.35
(不含税)
RMB97.576
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | RMB43.175 | RMB86.35 |
| 4 - 8 | RMB42.35 | RMB84.70 |
| 10 - 38 | RMB41.47 | RMB82.94 |
| 40 - 98 | RMB40.535 | RMB81.07 |
| 100 + | RMB39.765 | RMB79.53 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 796-1337
- 制造商零件编号:
- NGTB30N120FL2WG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 60 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 452 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 16.25mm | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 高度 | 21.4mm | |
| 尺寸 | 16.25 x 5.3 x 21.4mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 60 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 452 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 16.25mm | ||
宽度 5.3mm | ||
高度 21.4mm | ||
尺寸 16.25 x 5.3 x 21.4mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||