Toshiba GT50JR22, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-3P封装

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RS 库存编号:
796-5064
制造商零件编号:
GT50JR22
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

最大连续集电极电流

50 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

±25V

最大功率耗散

230 W

封装类型

TO-3P

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

1MHz

晶体管配置

长度

15.5mm

宽度

4.5mm

高度

20mm

尺寸

15.5 x 4.5 x 20mm

最高工作温度

+175 °C