ON Semiconductor NGTG12N60TF1G, N沟道 IGBT 晶体管模块, 88(脉冲)A, Vce=600 V, 3针 TO-3PF封装

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801-6801
制造商零件编号:
NGTG12N60TF1G
制造商:
ON Semiconductor
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品牌

ON Semiconductor

最大连续集电极电流

88(脉冲)A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

54 W

封装类型

TO-3PF

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

长度

15.5mm

宽度

5.5mm

高度

26.5mm

尺寸

15.5 x 5.5 x 26.5mm

最高工作温度

+150 °C